A1517 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1517  📄📄 

Código: ACG_ACL

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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A1517 datasheet

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A1517

A1517 PNP silicon APPLICATION Low Noise Amplifier Application. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -100 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature

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A1517

SEMICONDUCTOR KTA1517S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES E L B L High Voltage VCEO=-120V. DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 3 D 0.40+0.15/-0.05 High hFE hFE=200 700. E 2.40+0.30/-0.20 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1

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A1517

SEMICONDUCTOR KTA1517 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. FEATURES E L B L High Voltage VCEO=-120V. DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.). C 1.30 MAX 2 High hFE hFE=200 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 Low Noise NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1 G 1.90

Otros transistores... A1313, A1317, A1317S, A1320, A1357, A1480, A1504, A1505, 2SC2240, A1585, A1585S, A1586, A1587, A1588, A1621, A1663, A2071