A1517 Todos los transistores

 

A1517 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1517
   Código: ACG_ACL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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A1517 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  fgx
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A1517

A1517 PNP silicon APPLICATION: Low Noise Amplifier Application.MAXIMUM RATINGSTa25 PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -100 mA1Collector Power Dissipation PC 150 mW2Junction Temperature TJ 150Storage Temperature

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A1517

SEMICONDUCTOR KTA1517STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.FEATURESEL B LHigh Voltage : VCEO=-120V.DIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).C 1.30 MAX23 D 0.40+0.15/-0.05High hFE: hFE=200700.E 2.40+0.30/-0.20Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.). 1

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A1517

SEMICONDUCTOR KTA1517TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION.FEATURESEL B LHigh Voltage : VCEO=-120V.DIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).C 1.30 MAX2High hFE: hFE=200 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).1G 1.90

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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