A3355 Todos los transistores

 

A3355 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A3355
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4500 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT23 TO92
 

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A3355 Datasheet (PDF)

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A3355

AiT Semiconductor Inc. A3355 www.ait-ic.com 200mA, 4.5GHz, 12V, NPN SILICON EPITAXIAL HIGH FREQUENCY RF TRANSISTOR DESCRIPTION FEATURES The A3355 is an NPN silicon Epitaxial Transistor. It Collector Current: 200mA (Max) has High frequency. High Frequency: 4.5GHz (Typ) Collector-Emitter Voltage: 12V The A3355 is available in SOT-23 and TO-92 Low noise and high gain

Otros transistores... A1585S , A1586 , A1587 , A1588 , A1621 , A1663 , A2071 , A327A , B647 , A708 , A720 , A751 , A773 , A817 , A838 , A844 , A9015 .

History: 2N545 | SK3899 | BD507-1 | 2SC1136

 

 
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