A3355 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A3355
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4500 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT23 TO92
Búsqueda de reemplazo de A3355
A3355 datasheet
a3355.pdf
AiT Semiconductor Inc. A3355 www.ait-ic.com 200mA, 4.5GHz, 12V, NPN SILICON EPITAXIAL HIGH FREQUENCY RF TRANSISTOR DESCRIPTION FEATURES The A3355 is an NPN silicon Epitaxial Transistor. It Collector Current 200mA (Max) has High frequency. High Frequency 4.5GHz (Typ) Collector-Emitter Voltage 12V The A3355 is available in SOT-23 and TO-92 Low noise and high gain
Otros transistores... A1585S , A1586 , A1587 , A1588 , A1621 , A1663 , A2071 , A327A , 2SC828 , A708 , A720 , A751 , A773 , A817 , A838 , A844 , A9015 .
History: TPC6901A | 2SA970BL | TPCP8902 | 2SD664 | KSA1203Y | A2071 | A720
History: TPC6901A | 2SA970BL | TPCP8902 | 2SD664 | KSA1203Y | A2071 | A720
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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