A3355 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A3355  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23 TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A3355

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A3355 даташит

 ..1. Size:280K  ait semi
 a3355.pdf pdf_icon

A3355

AiT Semiconductor Inc. A3355 www.ait-ic.com 200mA, 4.5GHz, 12V, NPN SILICON EPITAXIAL HIGH FREQUENCY RF TRANSISTOR DESCRIPTION FEATURES The A3355 is an NPN silicon Epitaxial Transistor. It Collector Current 200mA (Max) has High frequency. High Frequency 4.5GHz (Typ) Collector-Emitter Voltage 12V The A3355 is available in SOT-23 and TO-92 Low noise and high gain

Другие транзисторы: A1585S, A1586, A1587, A1588, A1621, A1663, A2071, A327A, MPSA42, A708, A720, A751, A773, A817, A838, A844, A9015