H649A Todos los transistores

 

H649A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H649A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 27 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO126

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H649A datasheet

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H649A

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H649A LOW FREQUANCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-126ML Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

Otros transistores... H1144 , H1357 , H1609 , H1684 , H2682 , H3619 , H3950 , H3953 , BD222 , H6718V , H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 .

History: 2SB1161 | 2SB1112

 

 

 

 

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