H649A Todos los transistores

 

H649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H649A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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H649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  shantou-huashan
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H649A

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H649A LOW FREQUANCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Otros transistores... H1144 , H1357 , H1609 , H1684 , H2682 , H3619 , H3950 , H3953 , 2SC5200 , H6718V , H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 .

History: 2N6057 | ECG471

 

 
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