Справочник транзисторов. H649A

 

Биполярный транзистор H649A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H649A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для H649A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  shantou-huashan
 h649a.pdf pdf_icon

H649A

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H649A LOW FREQUANCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... H1144 , H1357 , H1609 , H1684 , H2682 , H3619 , H3950 , H3953 , 2SC5200 , H6718V , H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 .

History: ECG471 | 2N6057

 

 
Back to Top

 


 
.