H649A - описание и поиск аналогов

 

H649A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H649A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для H649A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H649A даташит

 ..1. Size:72K  shantou-huashan
 h649a.pdf pdf_icon

H649A

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H649A LOW FREQUANCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-126ML Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

Другие транзисторы: H1144, H1357, H1609, H1684, H2682, H3619, H3950, H3953, BD222, H6718V, H772, H882, HA1011, HA1837, HA940, HB123D, HB1274

 

 

 

 

↑ Back to Top
.