HB123D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HB123D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HB123D
HB123D Datasheet (PDF)
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NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB123D APPLICATIONS Power Amplifie ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTC=25
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
