HB123D Todos los transistores

 

HB123D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HB123D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO126

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HB123D datasheet

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HB123D

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB123D APPLICATIONS Power Amplifie ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-126ML Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation TC=25

Otros transistores... H3953 , H649A , H6718V , H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , 2N5551 , HB1274 , HB834 , HB857 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 .

History: 2N5894 | HSBD178

 

 

 

 

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