HB123D - описание и поиск аналогов

 

HB123D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HB123D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HB123D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HB123D даташит

 ..1. Size:104K  shantou-huashan
 hb123d.pdf pdf_icon

HB123D

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB123D APPLICATIONS Power Amplifie ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-126ML Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation TC=25

Другие транзисторы: H3953, H649A, H6718V, H772, H882, HA1011, HA1837, HA940, 2N5551, HB1274, HB834, HB857, HBD195, HBD196, HBD241C, HBD435, HBD436

 

 

 

 

↑ Back to Top
.