Справочник транзисторов. HB123D

 

Биполярный транзистор HB123D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HB123D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для HB123D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HB123D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  shantou-huashan
 hb123d.pdf pdf_icon

HB123D

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB123D APPLICATIONS Power Amplifie ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTC=25

Другие транзисторы... H3953 , H649A , H6718V , H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , AC125 , HB1274 , HB834 , HB857 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 .

History: FTA1020 | 2SB1144 | BD437 | CK67C | HBD195 | 2N5865 | HBDW93C

 

 
Back to Top

 


 
.