HB857 Todos los transistores

HB857 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HB857

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 typ MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO126

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