HB857 Todos los transistores

 

HB857 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HB857
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15(TYP) MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HB857 Datasheet (PDF)

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HB857

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB857 APPLICATIONS LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

Otros transistores... H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , TIP41 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C .

 

 
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