HB857 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HB857
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15(TYP) MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO126
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HB857
HB857 Datasheet (PDF)
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P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB857 APPLICATIONS LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25
Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
