Справочник транзисторов. HB857

 

Биполярный транзистор HB857 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HB857
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15(TYP) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для HB857

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HB857 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  shantou-huashan
 hb857.pdf pdf_icon

HB857

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HB857 APPLICATIONS LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... H772 , H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , TIP41 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C .

History: S8550M | BD420 | 2SB1110

 

 
Back to Top

 


 
.