HBD195 Todos los transistores

 

HBD195 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBD195
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HBD195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  shantou-huashan
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HBD195

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD195 APPLICATIONS . .Medium Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.1. Size:169K  shantou-huashan
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HBD195

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD196 APPLICATIONS . Audio Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Otros transistores... H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , HB857 , C5198 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C , HBDW94C .

History: 2N1762 | HBD436 | 2SD2123L

 

 
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