HBD195 Todos los transistores

HBD195 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBD195

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: TO126

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