Справочник транзисторов. HBD195

 

Биполярный транзистор HBD195 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBD195
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для HBD195

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD195 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  shantou-huashan
 hbd195.pdf pdf_icon

HBD195

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD195 APPLICATIONS . .Medium Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.1. Size:169K  shantou-huashan
 hbd196.pdf pdf_icon

HBD195

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD196 APPLICATIONS . Audio Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... H882 , HA1011 , HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , HB857 , C5198 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C , HBDW94C .

History: HBDW93C | 2SB1144

 

 
Back to Top

 


 
.