HBD196 Todos los transistores

 

HBD196 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBD196
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 170(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 62 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HBD196 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  shantou-huashan
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HBD196

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD196 APPLICATIONS . Audio Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.1. Size:162K  shantou-huashan
 hbd195.pdf pdf_icon

HBD196

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD195 APPLICATIONS . .Medium Power Amplifie. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Otros transistores... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: BD433 | CSB737 | 2SC4672-Q | 2SC2601 | BD187

 

 
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