HBD196 - описание и поиск аналогов

HBD196. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HBD196

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: TO126

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам