HBD241C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HBD241C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 115 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO220
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HBD241C Datasheet (PDF)
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NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD241C APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25
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