HBD241C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HBD241C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для HBD241C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HBD241C даташит
Другие транзисторы: HA1837, HA940, HB123D, HB1274, HB834, HB857, HBD195, HBD196, TIP41, HBD435, HBD436, HBD681, HBD682, HBDW93C, HBDW94C, HBU3150A, HBU406
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet

