Справочник транзисторов. HBD241C

 

Биполярный транзистор HBD241C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBD241C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для HBD241C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD241C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  shantou-huashan
 hbd241c.pdf pdf_icon

HBD241C

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD241C APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... HA1837 , HA940 , HB123D , HB1274 , HB834 , HB857 , HBD195 , HBD196 , A1015 , HBD435 , HBD436 , HBD681 , HBD682 , HBDW93C , HBDW94C , HBU3150A , HBU406 .

History: KBT5551C | 2N5771 | 2SB108A | SD406 | 2N5773 | CK66

 

 
Back to Top

 


 
.