HP127W Todos los transistores

 

HP127W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP127W
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 65 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO263

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HP127W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  shantou-huashan
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HP127W HP127W

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HP127W APPLICATIONS PNP Epitaxial Darlington Transistor. High DC Current Gain. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Tempera

 9.1. Size:130K  shantou-huashan
 hp127.pdf

HP127W HP127W

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HP127 APPLICATIONS PNP Epitaxial Darlington Transistor. High DC Current Gain. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperatu

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History: HN1B01FDW1T1G | P422 | BR3DD13005T8F

 

 
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