Биполярный транзистор HP127W - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HP127W
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO263
HP127W Datasheet (PDF)
hp127w.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HP127W APPLICATIONS PNP Epitaxial Darlington Transistor. High DC Current Gain. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Tempera
hp127.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HP127 APPLICATIONS PNP Epitaxial Darlington Transistor. High DC Current Gain. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperatu
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
