HS649A Todos los transistores

 

HS649A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HS649A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 27 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HS649A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  shantou-huashan
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HS649A

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HS649A APPLICATIONS Low Frequancy Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

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History: 2N2217A | CSD1563AN | MRF261 | UMT1006 | BUL62B

 

 
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