HS649A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HS649A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для HS649A
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
HS649A даташит
Другие транзисторы... HP32B , HP32CF , HP41C , HP42C , HP50 , HS2236 , HS600K , HS631K , 2SC5198 , HS669A , HS772 , HS882 , HSBD135 , HSBD136 , HSBD137 , HSBD138 , HSBD139 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m