Биполярный транзистор HS649A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HS649A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140(TYP) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126
HS649A Datasheet (PDF)
..1. Size:264K shantou-huashan
hs649a.pdf
hs649a.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HS649A APPLICATIONS Low Frequancy Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
