HSBD140 Todos los transistores

 

HSBD140 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD140
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HSBD140 Datasheet (PDF)

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HSBD140

PNP SILICON TRANSIST OR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD140 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD140

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD178 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD140

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD179 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.3. Size:123K  shantou-huashan
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HSBD140

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD180 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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History: BD750C | 2SA500Y | 2SB1094 | BD678H | BCW46 | 2SD1702 | 2SC4288

 

 
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