HSBD140 - описание и поиск аналогов

 

HSBD140. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD140

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD140

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD140 даташит

 ..1. Size:62K  shantou-huashan
 hsbd140.pdf pdf_icon

HSBD140

 9.1. Size:123K  shantou-huashan
 hsbd178.pdf pdf_icon

HSBD140

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD178 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 9.2. Size:123K  shantou-huashan
 hsbd179.pdf pdf_icon

HSBD140

NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD179 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 9.3. Size:123K  shantou-huashan
 hsbd180.pdf pdf_icon

HSBD140

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD180 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HS669A, HS772, HS882, HSBD135, HSBD136, HSBD137, HSBD138, HSBD139, BC639, HSBD175, HSBD176, HSBD177, HSBD178, HSBD179, HSBD180, HSBD233, HSBD234

 

 

 

 

↑ Back to Top
.