HSBD233 Todos los transistores

 

HSBD233 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD233
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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HSBD233 Datasheet (PDF)

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HSBD233

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD233 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD233

PNP SILICON TRANSIST OR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD238 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD233

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD237 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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HSBD233

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD234 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

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