HSBD233 - описание и поиск аналогов

 

HSBD233. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD233

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD233

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD233 даташит

 ..1. Size:118K  shantou-huashan
hsbd233.pdfpdf_icon

HSBD233

 8.1. Size:57K  shantou-huashan
hsbd238.pdfpdf_icon

HSBD233

 8.2. Size:119K  shantou-huashan
hsbd237.pdfpdf_icon

HSBD233

 8.3. Size:118K  shantou-huashan
hsbd234.pdfpdf_icon

HSBD233

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD234 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

Другие транзисторы: HSBD139, HSBD140, HSBD175, HSBD176, HSBD177, HSBD178, HSBD179, HSBD180, 2SC828, HSBD234, HSBD236, HSBD237, HSBD238, HSBD375, HSBD376, HSBD377, HSBD378

 

 

 

 

↑ Back to Top
.