HSBD236 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSBD236
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO126
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HSBD236 datasheet
hsbd236.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD236 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25
Otros transistores... HSBD175 , HSBD176 , HSBD177 , HSBD178 , HSBD179 , HSBD180 , HSBD233 , HSBD234 , S9018 , HSBD237 , HSBD238 , HSBD375 , HSBD376 , HSBD377 , HSBD378 , HSBD379 , HSBD380 .
History: HSBD237 | HSBD376 | 2SC2785JF
History: HSBD237 | HSBD376 | 2SC2785JF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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