HSBD236. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HSBD236
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для HSBD236
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
HSBD236 даташит
hsbd236.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD236 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25
Другие транзисторы: HSBD175, HSBD176, HSBD177, HSBD178, HSBD179, HSBD180, HSBD233, HSBD234, S9018, HSBD237, HSBD238, HSBD375, HSBD376, HSBD377, HSBD378, HSBD379, HSBD380
History: HSBD380
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609