H1959 Todos los transistores

 

H1959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H1959
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de H1959

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

H1959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  shantou-huashan
 h1959.pdf pdf_icon

H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Tempe

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC3236 | 2SD773 | 2SC656 | 2S52 | 2SD2251 | TS13002CT | LDTB114TKT1G

 

 
Back to Top

 


 
.