H1959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H1959
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300(TYP) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar H1959
H1959 Datasheet (PDF)
h1959.pdf
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Tempe
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