H1959 Todos los transistores

 

H1959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H1959
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H1959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  shantou-huashan
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H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Tempe

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History: 2SD1238LR | BDX60

 

 
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