H1959 Todos los transistores

 

H1959 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H1959

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92

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H1959 datasheet

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H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 TO-92 Tj Juncttion Tempe

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History: DDTC115TCA | CX958D | H2222A | H369

 

 

 

 

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