Справочник транзисторов. H1959

 

Биполярный транзистор H1959 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H1959
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H1959

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  shantou-huashan
 h1959.pdf pdf_icon

H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Tempe

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: 2N364

 

 
Back to Top

 


 
.