H1959 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H1959  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H1959

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1959 даташит

 ..1. Size:84K  shantou-huashan
 h1959.pdf pdf_icon

H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 TO-92 Tj Juncttion Tempe

Другие транзисторы: H1420, H1423, H1426, H1616, H1674, H1740, H1815, H1836, 2N2222A, H2120, H2216, H2222A, H227, H2274, H2328S, H2347, H2369