H1959 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

H1959 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H1959
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналоги (замена) для H1959

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H1959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  shantou-huashan
 h1959.pdf pdf_icon

H1959

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1959 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS.SWITCHING APPLICATIONS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Tempe

Другие транзисторы... H1420 , H1423 , H1426 , H1616 , H1674 , H1740 , H1815 , H1836 , 2SD1047 , H2120 , H2216 , H2222A , H227 , H2274 , H2328S , H2347 , H2369 .

History: H1836 | 2SC6099-TL-E | MA204 | NKT5

 

 
Back to Top

 


 
.