H3200 Todos los transistores

 

H3200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H3200
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H3200 Datasheet (PDF)

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H3200

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H3200 APPLICATIONS Low Noise Audio Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

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History: 2SC3335

 

 
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