Справочник транзисторов. H3200

 

Биполярный транзистор H3200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H3200
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H3200

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H3200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  shantou-huashan
 h3200.pdf pdf_icon

H3200

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H3200 APPLICATIONS Low Noise Audio Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

Другие транзисторы... H2369 , H237 , H238 , H2655S , H2717 , H2907A , H3192 , H3198 , 8050 , H3202 , H3203 , H327 , H3279 , H3332 , H337 , H368 , H369 .

History: NSS60200L

 

 
Back to Top

 


 
.