H3200 - описание и поиск аналогов

 

H3200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H3200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H3200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H3200 даташит

 ..1. Size:564K  shantou-huashan
h3200.pdfpdf_icon

H3200

Другие транзисторы: H2369, H237, H238, H2655S, H2717, H2907A, H3192, H3198, BC546, H3202, H3203, H327, H3279, H3332, H337, H368, H369

 

 

 

 

↑ Back to Top
.