H327 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H327
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 typ MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92
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H327 datasheet
h327.pdf
P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H327 SWITCHING AND AMPLFIER APPLICATIONS Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC
iscnh327p.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327P FEATURES Drain Current I = 200A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 85V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.
Otros transistores... H2655S , H2717 , H2907A , H3192 , H3198 , H3200 , H3202 , H3203 , 8050 , H3279 , H3332 , H337 , H368 , H369 , H370 , H380TM , H3904 .
History: 2SC3321 | H3332
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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