H327 Todos los transistores

 

H327 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H327
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H327 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  shantou-huashan
 h327.pdf pdf_icon

H327

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H327 SWITCHING AND AMPLFIER APPLICATIONS Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PC

 0.1. Size:58K  shantou-huashan
 h3279.pdf pdf_icon

H327

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H3279 STROBE FLASH APPLICATIONS MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

 0.2. Size:261K  inchange semiconductor
 iscnh327p.pdf pdf_icon

H327

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327PFEATURESDrain Current I = 200A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 85V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: DTD163TS

 

 
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