H327 - описание и поиск аналогов

 

H327. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H327

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H327

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H327 даташит

 ..1. Size:67K  shantou-huashan
 h327.pdf pdf_icon

H327

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H327 SWITCHING AND AMPLFIER APPLICATIONS Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC

 0.1. Size:58K  shantou-huashan
 h3279.pdf pdf_icon

H327

 0.2. Size:261K  inchange semiconductor
 iscnh327p.pdf pdf_icon

H327

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNH327P FEATURES Drain Current I = 200A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 85V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

Другие транзисторы: H2655S, H2717, H2907A, H3192, H3198, H3200, H3202, H3203, 8050, H3279, H3332, H337, H368, H369, H370, H380TM, H3904

 

 

 

 

↑ Back to Top
.