H422 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H422
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO92
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H422 datasheet
irfh4226.pdf
FastIRFET IRFH4226PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 70 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 16 nC
Otros transistores... H369 , H370 , H380TM , H3904 , H3906 , H400S , H420 , H421 , A1013 , H423 , H5342 , H5401 , H546 , H547 , H548 , H549 , H5551 .
History: FMMT3563
History: FMMT3563
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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