H422 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H422
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar H422
H422 Datasheet (PDF)
h422.pdf
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H422 APPLICATIONS Class-B video output stages in colour television and professional monitor equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150
irfh4226.pdf
FastIRFET IRFH4226PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 70 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 16 nC
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