H422 Todos los transistores

 

H422 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H422

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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H422 datasheet

 ..1. Size:283K  shantou-huashan
h422.pdf pdf_icon

H422

 0.1. Size:503K  international rectifier
irfh4226.pdf pdf_icon

H422

FastIRFET IRFH4226PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 70 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 16 nC

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History: FMMT3563

 

 

 


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