Справочник транзисторов. H422

 

Биполярный транзистор H422 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H422
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H422

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H422 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  shantou-huashan
 h422.pdf pdf_icon

H422

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H422 APPLICATIONS Class-B video output stages in colour television and professional monitor equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150

 0.1. Size:503K  international rectifier
 irfh4226.pdf pdf_icon

H422

FastIRFET IRFH4226PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 70 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 16 nC

Другие транзисторы... H369 , H370 , H380TM , H3904 , H3906 , H400S , H420 , H421 , 2SD313 , H423 , H5342 , H5401 , H546 , H547 , H548 , H549 , H5551 .

 

 
Back to Top

 


 
.