H422 - описание и поиск аналогов

 

H422. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H422

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H422

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H422 даташит

 ..1. Size:283K  shantou-huashan
 h422.pdf pdf_icon

H422

 0.1. Size:503K  international rectifier
 irfh4226.pdf pdf_icon

H422

FastIRFET IRFH4226PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 70 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 16 nC

Другие транзисторы: H369, H370, H380TM, H3904, H3906, H400S, H420, H421, A1013, H423, H5342, H5401, H546, H547, H548, H549, H5551

 

 

 

 

↑ Back to Top
.