H423 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H423

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO92

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H423 datasheet

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H423

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H423 APPLICATIONS Class-B video output stages in colour television and professional monitor equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

 0.1. Size:500K  international rectifier
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H423

FastIRFET IRFH4234PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 4.6 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 7.3 Qg (typical) 8.2 nC ID 60 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 8.2 nC) Lo

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