H423 Todos los transistores

 

H423 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H423
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92

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H423 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  shantou-huashan
h423.pdf

H423
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P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H423 APPLICATIONS Class-B video output stages in colour television and professional monitor equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150

 0.1. Size:500K  international rectifier
irfh4234.pdf

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FastIRFET IRFH4234PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 4.6(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 7.3 Qg (typical) 8.2 nC ID 60 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 8.2 nC) Lo

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