H423 - описание и поиск аналогов

 

H423. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H423

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H423

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H423 даташит

 ..1. Size:299K  shantou-huashan
 h423.pdf pdf_icon

H423

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H423 APPLICATIONS Class-B video output stages in colour television and professional monitor equipment ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

 0.1. Size:500K  international rectifier
 irfh4234.pdf pdf_icon

H423

FastIRFET IRFH4234PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 4.6 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 7.3 Qg (typical) 8.2 nC ID 60 A PQFN 5X6 mm (@TC (Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for Sync Buck Converters Secondary Synchronous Rectifier MOSFET for isolated DC-DC converters Features Benefits Low Charge (typical 8.2 nC) Lo

Другие транзисторы: H370, H380TM, H3904, H3906, H400S, H420, H421, H422, 2SB817, H5342, H5401, H546, H547, H548, H549, H5551, H556

 

 

 

 

↑ Back to Top
.