H5551 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H5551

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: TO92

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H5551 datasheet

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H5551

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage Vceo=160V. CollectorDissipation Pc(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

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