Справочник транзисторов. H5551

 

Биполярный транзистор H5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H5551

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  shantou-huashan
 h5551.pdf pdf_icon

H5551

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.