H5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H5551  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H5551 даташит

 ..1. Size:103K  shantou-huashan
 h5551.pdf pdf_icon

H5551

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage Vceo=160V. CollectorDissipation Pc(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

Другие транзисторы: H422, H423, H5342, H5401, H546, H547, H548, H549, 2222A, H556, H557, H558, H5609, H5610, H562, H639, H643