H5551 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

H5551 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: H5551
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H5551

 

H5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  shantou-huashan
 h5551.pdf pdf_icon

H5551

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5551 AMPLIFIER TRANSISTOR Collector-Emitter Voltage Vceo=160V. CollectorDissipation Pc(max)=625mW ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

Другие транзисторы... H422 , H423 , H5342 , H5401 , H546 , H547 , H548 , H549 , 2222A , H556 , H557 , H558 , H5609 , H5610 , H562 , H639 , H643 .

History: CHEMG3GP | MPS3900 | IMH20TR1G

 

 
Back to Top

 


 
.