H5609 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H5609
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 22 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO92
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H5609 datasheet
h5609.pdf
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5609 APPLICATIONS AUDIO AMPLIFICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature
Otros transistores... H546 , H547 , H548 , H549 , H5551 , H556 , H557 , H558 , 2SD669A , H5610 , H562 , H639 , H643 , H732TM , H733 , H789A , H8050S .
History: 2SC1507 | FMMT3642
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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