Справочник транзисторов. H5609

 

Биполярный транзистор H5609 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H5609
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H5609

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H5609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  shantou-huashan
 h5609.pdf pdf_icon

H5609

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5609 APPLICATIONS AUDIO AMPLIFICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature

Другие транзисторы... H546 , H547 , H548 , H549 , H5551 , H556 , H557 , H558 , TIP2955 , H5610 , H562 , H639 , H643 , H732TM , H733 , H789A , H8050S .

History: BTB1386M3 | 2SAR553PHZG

 

 
Back to Top

 


 
.