H5609 - описание и поиск аналогов

 

H5609. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H5609

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H5609

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H5609 даташит

 ..1. Size:106K  shantou-huashan
 h5609.pdf pdf_icon

H5609

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5609 APPLICATIONS AUDIO AMPLIFICATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature

Другие транзисторы: H546, H547, H548, H549, H5551, H556, H557, H558, 2SD669A, H5610, H562, H639, H643, H732TM, H733, H789A, H8050S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.