H562 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H562
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar H562
H562 Datasheet (PDF)
h562.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H562 APPLICATIONS Low frequency power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation
th562.pdf
HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050