H562 Todos los transistores

 

H562 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H562
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
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H562

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H562 APPLICATIONS Low frequency power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

 0.1. Size:264K  hgsemi
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H562

HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
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