H562. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H562

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H562

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H562 даташит

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
 h562.pdf pdf_icon

H562

 0.1. Size:264K  hgsemi
 th562.pdf pdf_icon

H562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

Другие транзисторы: H548, H549, H5551, H556, H557, H558, H5609, H5610, BC549, H639, H643, H732TM, H733, H789A, H8050S, H817, H8550S