Справочник транзисторов. H562

 

Биполярный транзистор H562 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H562
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H562

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
 h562.pdf pdf_icon

H562

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H562 APPLICATIONS Low frequency power amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature150 PCCollector Dissipation

 0.1. Size:264K  hgsemi
 th562.pdf pdf_icon

H562

HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1

Другие транзисторы... H548 , H549 , H5551 , H556 , H557 , H558 , H5609 , H5610 , 2222A , H639 , H643 , H732TM , H733 , H789A , H8050S , H817 , H8550S .

History: KST52 | EMY1

 

 
Back to Top

 


 
.