H639 Todos los transistores

 

H639 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H639
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100(TYP) MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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H639 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  shantou-huashan
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H639

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H639 APPLICATIONS Switching And Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

Otros transistores... H549 , H5551 , H556 , H557 , H558 , H5609 , H5610 , H562 , D882P , H643 , H732TM , H733 , H789A , H8050S , H817 , H8550S , H9012 .

History: 3N116 | 2N477

 

 
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