H639 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H639

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 typ MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

 Búsqueda de reemplazo de H639

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

H639 datasheet

 ..1. Size:139K  shantou-huashan
 h639.pdf pdf_icon

H639

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H639 APPLICATIONS Switching And Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Otros transistores... H549, H5551, H556, H557, H558, H5609, H5610, H562, 2SC2240, H643, H732TM, H733, H789A, H8050S, H817, H8550S, H9012