Справочник транзисторов. H639

 

Биполярный транзистор H639 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H639
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(TYP) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H639

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H639 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  shantou-huashan
 h639.pdf pdf_icon

H639

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H639 APPLICATIONS Switching And Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

Другие транзисторы... H549 , H5551 , H556 , H557 , H558 , H5609 , H5610 , H562 , D882P , H643 , H732TM , H733 , H789A , H8050S , H817 , H8550S , H9012 .

History: 8550QLT1

 

 
Back to Top

 


 
.