H639 - описание и поиск аналогов

 

H639. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H639

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H639

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H639 даташит

 ..1. Size:139K  shantou-huashan
 h639.pdf pdf_icon

H639

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H639 APPLICATIONS Switching And Amplifier Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: H549, H5551, H556, H557, H558, H5609, H5610, H562, 2SC2240, H643, H732TM, H733, H789A, H8050S, H817, H8550S, H9012

 

 

 

 

↑ Back to Top
.