HB772S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HB772S

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92

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HB772S datasheet

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HB772S

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P HB772S AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

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