HB772S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HB772S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HB772S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HB772S даташит

 ..1. Size:27K  shantou-huashan
 hb772s.pdf pdf_icon

HB772S

PN P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P HB772S AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING TO-92 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: HA1695, HA1943, HA1962, HA42, HA44, HA56, HA92, HA94, BD139, HC1417, HC4468, HC5027H, HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, HC8550