HEB834 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HEB834
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 9(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar HEB834

HEB834 Datasheet (PDF)

..1. Size:73K shantou-huashan
heb834.pdf

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEB834 APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CHEMF19GP | T2415 | ASY12-2 | BFR35A | BFQ27 | BC548AP | L2SA1774ST1G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050