HEB834 Todos los transistores

 

HEB834 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HEB834
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9(TYP) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HEB834 Datasheet (PDF)

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HEB834

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEB834 APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

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History: 2SC2273 | SD602

 

 
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