HEB834 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HEB834
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 9 typ MHz
Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de HEB834
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
HEB834 datasheet
Otros transistores... HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, HC8550, HC8550S, HD882S, HD965, S8050, HED880, HEP31, HEP31A, HEP31B, HEP31C, HEP32, HEP32A, HEP32B
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360

