Справочник транзисторов. HEB834

 

Биполярный транзистор HEB834 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HEB834
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9(TYP) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HEB834

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEB834 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  shantou-huashan
 heb834.pdf pdf_icon

HEB834

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEB834 APPLICATIONS Low Frequency Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... HC5200 , HC5242 , HC8050 , HC8050S , HC8550 , HC8550S , HD882S , HD965 , BD140 , HED880 , HEP31 , HEP31A , HEP31B , HEP31C , HEP32 , HEP32A , HEP32B .

History: SD602 | 2SC2273

 

 
Back to Top

 


 
.