HEB834. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEB834

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для HEB834

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEB834 даташит

 ..1. Size:73K  shantou-huashan
 heb834.pdf pdf_icon

HEB834

Другие транзисторы: HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, HC8550, HC8550S, HD882S, HD965, S8050, HED880, HEP31, HEP31A, HEP31B, HEP31C, HEP32, HEP32A, HEP32B