HEP32B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HEP32B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de HEP32B
HEP32B Datasheet (PDF)
hep32-a-b-c.pdf

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HEP32 Series Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C APPLICATIONS Mediu Power Linear switching Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature
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History: 2SD121H | UMC2NT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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