Справочник транзисторов. HEP32B

 

Биполярный транзистор HEP32B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HEP32B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HEP32B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEP32B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:65K  shantou-huashan
 hep32-a-b-c.pdf pdf_icon

HEP32B

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HEP32 Series Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEP32/HEP32A/HEP32B/HEP32C APPLICATIONS Mediu Power Linear switching Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220AB TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature

Другие транзисторы... HEB834 , HED880 , HEP31 , HEP31A , HEP31B , HEP31C , HEP32 , HEP32A , TIP122 , HEP32C , HEP41C , HEP42C , HM28S , HS733 , HS945 , HX1267 , HX128M .

History: GE10008 | RT3NRRM

 

 
Back to Top

 


 
.