HEP32B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEP32B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для HEP32B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEP32B даташит

 9.1. Size:65K  shantou-huashan
 hep32-a-b-c.pdf pdf_icon

HEP32B

Другие транзисторы: HEB834, HED880, HEP31, HEP31A, HEP31B, HEP31C, HEP32, HEP32A, BC557, HEP32C, HEP41C, HEP42C, HM28S, HS733, HS945, HX1267, HX128M