SD4590 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SD4590
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 28 V
Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: SOT262
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar SD4590
SD4590 Datasheet (PDF)
sd4590.pdf
SD4590RF & MICROWAVE TRANSISTORS800-960 MHz CELLULAR BASE STATIONGOLD METALLIZATION.DIFFUSED EMITTER BALLASTING.INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING.COMMON EMITTER CONFIGURATION.DESIGNED FOR LINEAR OPERATION.HIGH SATURATED POWER CAPABILITY.26 VOLT, 900 MHz PERFORMANCE..400 x .860 4LFL (M208)P 150 W MIN.OUT =epoxy sealedGAIN = 8.5 dB MIN.IMD -28dB MAX. @ POU
2sd459.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD459DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 1500(Min) @I = 5AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switching
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
