SD4590 Todos los transistores

 

SD4590 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SD4590
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 28 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 960 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: SOT262
 

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SD4590 Datasheet (PDF)

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SD4590

SD4590RF & MICROWAVE TRANSISTORS800-960 MHz CELLULAR BASE STATIONGOLD METALLIZATION.DIFFUSED EMITTER BALLASTING.INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING.COMMON EMITTER CONFIGURATION.DESIGNED FOR LINEAR OPERATION.HIGH SATURATED POWER CAPABILITY.26 VOLT, 900 MHz PERFORMANCE..400 x .860 4LFL (M208)P 150 W MIN.OUT =epoxy sealedGAIN = 8.5 dB MIN.IMD -28dB MAX. @ POU

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SD4590

 9.1. Size:190K  inchange semiconductor
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SD4590

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD459DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 1500(Min) @I = 5AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switching

Otros transistores... SD1013-3 , SD1014-02 , SD1015 , SD1018 , SD1019-2 , SD1019-5 , SD4011 , SD4013 , 13001-A , S8050B , S8050C , S8050D , S8050G , S8550B , S8550C , S8550D , S8550G .

History: ASY68 | DMA366A3 | H423 | BSC1016

 

 
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