SD4590 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SD4590

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 65 V

Tensión colector-emisor (Vce): 28 V

Tensión emisor-base (Veb): 3.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 960 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 75 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: SOT262

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SD4590 datasheet

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SD4590

SD4590 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-960 MHz CELLULAR BASE STATION GOLD METALLIZATION . DIFFUSED EMITTER BALLASTING . INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING . COMMON EMITTER CONFIGURATION . DESIGNED FOR LINEAR OPERATION . HIGH SATURATED POWER CAPABILITY . 26 VOLT, 900 MHz PERFORMANCE . .400 x .860 4LFL (M208) P 150 W MIN. OUT = epoxy sealed GAIN = 8.5 dB MIN. IMD -28dB MAX. @ POU

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SD4590

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SD4590

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD459 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 1500(Min) @I = 5A FE C Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching

Otros transistores... SD1013-3, SD1014-02, SD1015, SD1018, SD1019-2, SD1019-5, SD4011, SD4013, MPSA42, S8050B, S8050C, S8050D, S8050G, S8550B, S8550C, S8550D, S8550G